2023年11月12日 综合来看,国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力,大部分设备类型都已有国产替代方案,在碳化硅产业爆发的情况下,未来碳化硅设备市场也将不断增大,预计
了解更多2022年12月15日 设备端受掣肘. 由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点,是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半
了解更多2024年2月18日 其中,Wolfspeed、Coherent、罗姆等国际主要碳化硅厂商使用的晶体生长设备主要为自行研发生产,其他国际主流碳化硅衬底厂商则主要向德国PVA TePla、日本
了解更多2023年7月14日 碳化硅全产业链提速. 作为第三代半导体材料,碳化硅相较于硅材料,具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造
了解更多2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速,供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基
了解更多2024年3月28日 首款国产碳化硅生产设备, PVA TePla助力中国半导体发展. 2024-03-28 09:49. 来源: OFweek电子工程网 发文. 随着全球 半导体 行业盛会S EMI CON China
了解更多碳化硅外延设备. 碳化硅化学气相沉积外延设备. 碳化硅外延设备属半导体设备领域,占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计,同时
了解更多2023年2月27日 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比,碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力
了解更多2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的2.0、2.5倍,因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而,氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点,而碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较
了解更多2023年8月19日 在国产外延设备方面,北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备,且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节(疫情等原因),无法快速放量,主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。
了解更多碳化硅化学气相沉积外延设备-纳设智能官方网站-碳化硅外延设备属半导体设备领域,占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计,同时兼容6英寸、4英寸外延片生长,是一款工艺
了解更多2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,碳化硅衬底切片设备加速国产化。碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势,晶体生长和切割是产业化瓶颈。优势:1)高性能:碳化硅相比硅有四大优势:大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场,做成的器件对应有四高性能:高功率、高频率、高温和 ...
了解更多2023年12月18日 2020年,超芯星聚焦单晶生长技术突破,自研全国首台套高速率碳化硅单晶生长设备 ,打破对进口设备的长期依赖。自此,它也成为全国唯一一家同时拥有两种量产长晶技术路线的半导体公司。2021年, 刘欣宇在接受媒体采访时谈到:“中国碳化硅 ...
了解更多2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22 种,下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状,和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状 在我国进行产业升级的浪潮中,SiC材料以其独特的性能得到了越来越多的应用(如: 高功率电力电子 ...
了解更多2023年7月8日 现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确,如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。. 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能,才能实现弯道超车。. 碳化硅市场竞争格局. 目前而言,在碳化硅衬底 ...
了解更多2023年5月21日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备,粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求,但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备,采用设备与工艺打包销售的方式,极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。
了解更多2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸(6英寸及以上)导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺,于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备,经持续工艺优化,目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH ...
了解更多2021年11月7日 使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从 96%提升至 99%以上,能量损耗降低 50%以上,设备循环寿命提升 50 倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。
了解更多2024年1月8日 碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来76页(附下载). 报告自由. 最新行业报告库. SiC行业概况:第三代半导体材料性能优越,新能源车等场景带动SiC放量。. 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源
了解更多2024年1月17日 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大,国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划: 一代工艺一代设备,外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%,SiC外延炉是 第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一。下游市
了解更多2023年2月27日 机械设备行业周报:关注碳化硅设备国产化突破和加速. 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比,碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势,适合制作高温、高频、抗
了解更多2023年11月29日 项目总投资100亿元,占地面积88亩,主要建设第三代功率半导体(碳化硅)的设备 制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设,一期预计投资 21 亿元,建成达产后,可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 ...
了解更多2022年10月11日 株洲和创中高频设备有限公司主打产品有:碳化硅烧结炉,真空烧结炉,高温真空烧结炉,高温石墨化炉,特种陶瓷烧结炉,真空钎焊炉,气相沉积炉,热压烧结炉, 真空裂解炉等成套感应加热设备和非标真空或气氛电热设备等 ...
了解更多2023年2月15日 本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应 室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进 展,最后分析了 CVD 法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。. 碳化硅(silicon carbide, SiC)作为第
了解更多粤升设备打造的碳化硅外延炉,具备高质量高稳定性外延片生产能力,充分满足您对优越材料性能的追求。 液相法SiC单晶炉 液相法碳化硅单晶炉,粤升团队融合二十余年的碳化硅晶体工艺经验打造,给您提供高质量、低成本的碳化硅单晶材料产出
了解更多2019年7月25日 由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗,因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。 1、半导体照明领域 采用碳化硅作为衬底的LED期间亮度更高、能耗更低寿命更长、单位芯片面积更小,在大功率LED方面具有非常大的优势。
了解更多2023年7月14日 与此同时,国内外产业模式的差异,技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题,都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到,从产业链层面初步划分,整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
了解更多2021年7月21日 碳化硅,第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求,大力发展碳化硅产业,可引领带动原材料与设备两个千亿级产业,助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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