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碳化硅晶体生长炉_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
碳化硅晶体生长炉. 真空室结构: 生长室采用石英管结构，石英管上下密封法兰采用316L材料，表面进行特种工艺处理，采用进口氟橡胶圈密封. 真空室尺寸: 石英腔体规格：内
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一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...
2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37143人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全
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南京晶升装备股份有限公司-半导体级单晶硅炉-碳化硅单晶炉 ...
2024年3月25日 南京晶升装备股份有限公司成立于2012年2月，是一家专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新
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调研｜露笑科技布局碳化硅进展：首批50台长晶炉已全
2021年11月17日 在碳化硅产业发展规划方面，露笑科技计划在2018年1月~2020年11月完成4/6英寸碳化硅晶体生长炉研制与销售、6英寸导电型碳化硅衬底中试线；2020年12月~2021年12月，5万片6英寸导电型碳化硅衬底
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碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式)
首页 产品 晶体生长加工设备 碳化硅（SiC）长晶炉. 采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法， 合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。 可提供半定制化服务. 高真空. 腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着； 各表面严密
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碳化硅原料合成炉 HC-SCET1000系列-南京晶升装备
碳化硅单晶炉. 蓝宝石单晶炉. 其他晶体生长设备. +. 碳化硅原料合成炉 HC-SCET1000系列. 所属分类： 其他晶体生长设备. 应用领域：主要应用于根据客户差异化应用需求，研发的定制化晶体生长设备. 如果您希望获取更多
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碳化硅_百度百科
2023年5月4日 碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。 自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。 在C、N、B等非氧化物高技
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北京天科合达半导体股份有限公司
2024年2月29日 拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。 将最先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳
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碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉-真空炉
产品介绍：该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结，也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃，具有排胶、除尘系统，排胶烧结一次完成。
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一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...
2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37143人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全文. 推荐 6. 作者：山川.
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LPE碳化硅长晶炉
4~ 6英寸 碳化硅长晶炉 (感应式) 晶体尺寸 4 ~ 6英寸 工艺 LPE 加热方式 感应式 基本参数 主机尺寸 W1300xD1300xH3600mm 整机重量 约2T 支持系统 电 源 容 量 30kVA 电 压 3P 380VAC±10% 50/60Hz ...
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规模很小，却已是半导体单晶硅炉“老炮儿”；技术开路，抱上 ...
2023年7月21日 目前，下游碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小，主要企业包括三安光电、天岳先进、天科合达等。 （来源：招股书） 公司与三安光电合作较为紧密，占其碳化硅单晶炉采购比例约80%，是三安光电碳化硅单晶炉的主要供应商。
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碳化硅_百度百科
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。
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碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网
2 天之前 碳化硅CVD外延一般采用热壁或温壁式CVD设备，在较高的生长温度条件（1500～1700℃）下保证了外延层4H晶型SiC的延续，热壁或温壁式CVD经过多年的发展，按照进气气流方向与衬底表面的关系，反应室可以分为水平卧式结构反应炉和垂直立式结构
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碳化硅原料合成炉 - 网站
优点利处. ①一次装料量大，可实现1台设备对多台长晶炉，提高生产效率；. ②采用1拖2同频电源，可有效控制轴向温度梯度；. ③顶、底均可配红外测温，便于温场监控和工艺调试；. ④高真空、高控压精度、高控温精度，满足合成高纯碳化硅原料；. ⑤采用下进 ...
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展
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碳化硅长晶炉_恒普科技_宁波恒普真空科技股份有限公司
2022年4月16日 宁波恒普真空科技股份有限公司是中国主要烧结炉制造厂商之一， 主营:碳化硅长晶炉,晶体生长,半导体,实验室等行业用炉或设备等，拥有完整而坚实的研发技术团队，累积丰富经验， 满足客户所需， 为客户创造价值。
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碳化硅炉气的排放和回收利用概况_百度文库
碳化硅炉气的排放和回收利用概况-（5）回收的炉汽热值约 11000kJ/m3，每生产一吨碳化硅可回收 1000～1300 m3 炉气， 可用燃气发电机发电 1000kWh 以上，也可作其他用途。 （6）操作现场减少高温熏烤，减轻一氧化碳中毒现象的发生。
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碳化硅原料合成炉 HC-SCET1000系列-南京晶升装备
产品描述. 设备采用分段式高纯度石墨电阻加热及热场结构，温场均匀性好；. 通过气流路径优化与热场防护技术，具有高腐蚀性气氛下排杂、杂质的定向沉积与热场稳定的特点；. 可满足高品质碳化硅原料合成;设备最大装料量
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深度研究：国内碳化硅及半导体单晶炉龙头，切入光伏行业 ...
2023年12月4日 晶升股份(688478) 【投资要点】 国内半导体及碳化硅长晶设备龙头，覆盖下游头部材料制造商公司携手沪硅产业率先实现12英寸半导体级单晶炉国产化并积极布局碳化硅拉晶设备，主要产品应用于8-12英寸轻掺、重掺半导体硅片制备，实现28nm以上制程批量工艺，以及6英寸碳化硅单晶衬底制备，客户覆盖 ...
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
2024年2月18日 目前，碳化硅外延工艺主要有化学气相沉积（CVD）、液相外延生长（LPE）和分子束外延生长（MBE）。. 其中，CVD是目前工业中应用最为广泛和成熟的方法。. 目前，市场主要被德国的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大厂商占据。. 然而，受限于产能因素 ...
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
2022年12月15日 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80% 以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等厂商向上突围的共同选择。 今年11月，上机数控在官微表示，公司在碳化硅切割领域取得了较大突破，自行研发的 ...
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电阻式SiC长晶炉 - 产品管理 - 北方华创
2024年3月16日 AGF电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可 ...
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SiC高温退火炉 - 产品管理 - 北方华创
2024年3月16日 VERIC A6151A SiC高温退火炉具有无金属、长寿命的加热系统及特殊设计的高可靠工艺腔室，具备在氩气、氮气和氢气等气体氛围下的高温退火工艺，温度可达2000℃。. 主要应用SiC高温离子注入后的高温激活退火，刻蚀后的沟槽平滑等，还可用于GaN晶圆中的掺杂活化及 ...
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证券研究报告行业深度报告电子 电子行业深度报告 碳化硅 ...
2023年11月21日 表15： 23-26年碳化硅单晶炉市场总空间测算 ..... 20 表16： 国内外碳化硅单晶炉厂商竞争格局..... 21 表17： 国内主要半导体硅片厂商计划自产或在研晶体生长设备情况..... 21 表18： 各类晶体生长设备的共性基础 ...
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碳化硅水平及垂直外延炉对比
2023年10月28日 根据外延炉的气体进气方向不同，市场上主要由两种碳化硅外延的生长路径：水平式和垂直式水平式。水平式就是反应源气体的流动方向平行于衬底片，气体落在衬底片上形成薄膜，慢慢累积形成外延层；垂直式则为反应源气体在炉中上方垂直向下流动后沉积在衬底片上，形成外延层。
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2024年全球市场碳化硅长晶炉总体规模、主要生产商、主要 ...
2024年1月15日 据GIR (Global Info Research)调研，按收入计，2023年全球碳化硅长晶炉收入大约 百万美元，预计2030年达到 百万美元，2024至2030期间，年复合增长率CAGR为 %。. 同时2023年全球碳化硅长晶炉销量大约 ，预计2030年将达到 。. 2023年中国市场规模大约为 百万美元，在全球市场 ...
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