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CASE

    碳化硅晶体生长炉_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

    碳化硅晶体生长炉-中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司-主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系

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    碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网

    2 天之前  碳化硅外延炉的好坏主要有三个方面的指标,首先是外延生长性能,包括厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率;其次是设备本身温度性能,包括升温/降温速率、

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    晶升股份研究报告:碳化硅和半导体级单晶炉领先者

    2023年5月19日  公司碳化硅单晶炉包含 PVT 感应加热/电阻加热单晶炉、 TSSG 单晶炉等类别产品, 下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备,下游广泛应用于能源 汽车、光伏发电、工业、家电

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    碳化硅长晶炉_恒普科技_宁波恒普真空科技股份有限公司

    2022年4月16日  公司简介. 发展历程. 全球网络. 宁波恒普真空科技股份有限公司是中国主要烧结炉制造厂商之一, 主营:碳化硅长晶炉,晶体生长,半导体,实验室等行业用炉或设备

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    碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式)

    碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式) 型号 FT-SRS1200 晶体尺寸 100~150kg 工艺 SHS 加热方式 电阻式 基本参数 主机尺寸 W3150xD1850xH4780mm 整机重量 约5T 支持系统 电 源 容 量 120kVA

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    SCMP/LP系列TSSG法碳化硅单晶炉-南京晶升装备股份有限 ...

    产品描述. 设备采用TSSG法长晶,可获得更高质量的晶体; 配备CCD晶体直径监测系统、厚度监测系统,实时监测晶体生长状态以提升长晶效率; 配合扩径工艺,可实现大尺寸碳

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    冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法-西安科技大学 科技处

    2017年5月12日  1. 成果的基本情况. 碳化硅的工业生产,国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术,该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉

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    碳化硅烧结炉_湖南艾普德工业技术有限公司

    2020年7月2日  碳化硅烧结炉. 用途:中频碳化硅烧结炉是一种间歇式感应加热炉,主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化硅粉、碳化硅密封陶瓷烧结、无压碳化硅烧结、碳化钛粉、碳化钒粉等金属粉末及复

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    中国未来3年碳化硅长晶炉市场增量近90亿 - 百家号

    2023年9月13日  供给端,碳化硅单晶炉国产化较充分,北方华创及晶升股份约占国内4-6吋碳化硅厂商采购份额约 75%。丰港化学 8 吋电阻加热PVT、及LPE (液相法)单晶炉具有技术领先优势,目前已交付多家大厂,同时还可提供客户工艺包,缩短客户8吋碳化硅衬底工艺研发时间,未来有望深度受益碳化硅高增长。

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    SCMP/LP系列TSSG法碳化硅单晶炉-南京晶升装备股份有限 ...

    产品描述. 设备采用TSSG法长晶,可获得更高质量的晶体;. 配备CCD晶体直径监测系统、厚度监测系统,实时监测晶体生长状态以提升长晶效率;. 配合扩径工艺,可实现大尺寸碳化硅单晶生长,同时可获得高载流子浓度的P型碳化硅单晶。. 上一页.

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    碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式)

    碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式) 型号 FT-SRS1200 晶体尺寸 100~150kg 工艺 SHS 加热方式 电阻式 基本参数 主机尺寸 W3150xD1850xH4780mm 整机重量 约5T 支持系统 电 源 容 量 120kVA 电 压 3P 380VAC±10% 50/60Hz ...

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    碳化硅原料合成炉 - 网站

    ④ 高真空、高控压精度、高控温精度,满足合成高纯碳化硅原料;⑤ 采用下进下出的上下料方式,安全可靠,可配置卸料叉车;⑥ 采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内压力,提供稳定的工艺气氛;⑦ 设备可采用并排布置,节省空间,提高厂房利用率。

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    冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法-西安科技大学 科技处

    2017年5月12日  冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1.成果的基本情况 碳化硅的工业生产,国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单炉芯技术,该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小,因而生产效率低,产品市场竞争力差。

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    国内碳化硅及半导体单晶炉龙头,切入 光伏行业打开成长天花板

    2023年12月4日  据测算,未来5年国内碳化硅衬底产能年均复合增长率接近60%,对应 带来约74.40亿元的碳化硅单晶炉市场空间,公司处于国内供应商第 一梯队,市场份额接近30%,目前已和三安光电等国内龙头衬底厂商 深度绑定,并持续推进新客户的首台套设备验证,成长

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    碳化硅烧结炉的详细说明 - 百度文库

    碳化硅烧结炉的详细说明- 结构碳化硅烧结炉的主要结构包括炉体、加热器、温度控制系统等部分。其中炉体是整个设备的核心部分,其为整个设备提供了支撑和作用。炉体内部包括加热区、稳温区、冷却区等区域,每个区域都具有不同的作用。加热器是 ...

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    感应式碳化硅烧结炉 _规格,图片,属性_湖南烯瑞自动化设备 ...

    用途:主要用于碳化硅重结晶烧结 主要技术性能和指标 最高使用温度:2450℃ 常用温度:2400℃ 加热方式:感应加热 炉内工作气份:氮气氩气 温度均匀度:≤±10℃ 控温精度:±1℃ 按照烧结工艺时间的需要可以单套电源配置多台电炉,分别对单个炉子进行通电升温和断电降温,实现连续工作 温度 ...

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    深度研究:国内碳化硅及半导体单晶炉龙头,切入光伏行业 ...

    2023年12月4日  晶升股份(688478) 【投资要点】 国内半导体及碳化硅长晶设备龙头,覆盖下游头部材料制造商公司携手沪硅产业率先实现12英寸半导体级单晶炉国产化并积极布局碳化硅拉晶设备,主要产品应用于8-12英寸轻掺、重掺半导体硅片制备,实现28nm以上制程批量工艺,以及6英寸碳化硅单晶衬底制备,客户覆盖 ...

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    碳化硅晶体生长炉辐射换热特性的数值模拟

    2017年8月14日  摘要: 采用C语言搭建了碳化硅 (SiC)晶体生长炉三维温度场数值模拟平台,基于柱坐标系构建生长炉物理模型,采用有限体积法离散数学模型,利用S2S (Surface to Surface)辐射模型考察了生长室内的辐射换热特性,提出判断辐射面可视性的最短距离法. 模拟了电流强度 ...

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    碳化硅生产工艺_百度文库

    炉芯放在配料制成的底盘上,中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷。炉芯上部铺放混好的配料,同时也放非晶质料或生产未反应料,炉子装好后形成中间高、两边低(与炉墙平)。 (4)碳化硅在1400℃与氧气开始反应。

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    感应式碳化硅烧结炉,真空烧结炉,碳化硅真空烧结炉_湖南艾 ...

    2020年7月2日  感应式碳化硅烧结炉用途:主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化硅粉、碳化硅密封陶瓷烧结、无压碳化硅烧结、碳化钛粉、碳化钒粉等金属粉末及复合金属粉末。特点:1.采用电磁感应加热,热效率高,发热体使用寿命长。

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    我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平_央广网

    2017年9月15日  我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平 9月14日,由中国高科技产业化研究会科技成果转化协作工作委员会董永生主任和中国机械工业 ...

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    我国“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”达领先水平 - 百家号

    央广网北京9月15日消息(记者刘天思)9月14日,由中国高科技产业化研究会科技成果转化协作工作委员会董永生主任和中国机械工业联合会马敬坤处长主持的鸡东宝鑫碳化硅有限公司自主研发的“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”通过了中国机械工业联合会的科技成果鉴定,技术水平达到国际领先。

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    碳化硅氮化硅烧结炉 - 百度文库

    碳化硅氮化硅烧结炉是制备碳化硅氮化硅陶瓷材料的重要设备,具有高温稳定性、耐腐蚀性等优良性能。 通过控制炉体温度和气氛等参数,可以实现碳化硅和氮化硅粉末的烧结,制备出具有高硬度、高强度、高热导率等优异性能的碳化硅氮化硅陶瓷材料。

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    产品展示 / 半导体碳化硅陶瓷 / 碳化硅炉管_碳化硅匣钵 ...

    2021年7月29日  碳化硅炉管,扩散炉炉管,高纯碳化硅炉管SIC含量>99.96%,纯度高,无金属形态杂质,不污染晶圆,适用于半导体集成电路FAB厂商扩散退火氧化工艺... 2021-07-29. 共 1页2条记录. 碳化硅炉管,扩散炉炉管,高纯碳化硅炉管.

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    碳化硅炉气回收壁垒被突破碳化硅环保冶炼_新浪新闻

    2017年10月31日  经济日报讯记者杜芳报道:由鸡东宝鑫碳化硅有限公司自主研发的“全封闭移动式碳化硅冶炼炉窑技术”日前通过中国机械工业联合会的科技成果 ...

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    LPE碳化硅长晶炉

    6 ~ 8英寸 碳化硅长晶炉 (感应式/电阻式) 晶体尺寸 6 ~ 8英寸 工艺 LPE 加热方式 感应式/电阻式 基本参数 主机尺寸 W1450xD1450xH3900mm 整机重量 约1.8T 支持系统 电 源 容 量 40kVA 电 压 3P 380VAC±10% 50/60Hz 冷 却 水 压 力 0.25~0.5MPa

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