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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏
2024年2月18日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单晶生长设
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
半导体工程师 2024-02-18 09:57 北京. 碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。. 以
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 PVA TePla碳化硅晶体生长设备. 定制化： 特定的晶体生长工艺通常是企业的高度机密，定制化晶体生长平台对于验证和优化其工艺至关重要。 PVA TePla可为客
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首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展 ...
2024年3月28日 针对中国市场需求与客户痛点，PVA TePla打造的碳化硅晶体生长设备“SiCN”以自身的四大优势来助力中国半导体产业高质量发展：. 1．定制化系统 ...
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中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 - 知乎
2023年5月8日 中电科半导体材料公司旗下的山西烁科晶体有限公司的保障部经理周立平介绍：“碳化硅产业基地一期的300台单晶生产设备，具备年产7.5万片碳化硅单晶衬底的产能，年收入在3亿元以上。 项目建成后，将
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打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品 ...
2023年3月26日 ”张胜涛说。 攻克核心技术难题. 碳化硅是电力电子器件的主要衬底材料，是新能源汽车、光伏逆变器、5G通信等战略性新兴产业的基石，可降低能量损耗达50%以
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基
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碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 - 腾讯网
2023年6月28日 相比于传统的硅基功率器件，碳化硅功率器件由于耐高温（工作温度可达600°C）、耐高压、耐高频、体积更小、能效更高的优点，在新能源汽车的电源控制、电
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工业用碳化硅模块
2024年3月15日 工业用碳化硅模块. 碳化硅(SiC)正在彻底改变电力电子领域,为从汽车到可再生能源的广泛应用提供先进的解决方案。 瑞能半导体意识到这一技术的重要性正与日俱
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首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
2020年10月21日 有多难做？. 根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管） 晶圆 于 10 月 16 日在上海正式发布。. 从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备. 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。. 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。. 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA
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无压烧结炉-远航工业炉
2023年7月18日 远航工业炉无压烧结炉可实现碳化硅、炭/ 碳、透明陶瓷、碳陶等复合材料的真空烧结、分压烧结、微正压烧结等工艺 ... 设备构造 卧式或者立式（客户指定） 炉体配置 一台电源控制一个或者多个炉体（根据客户工艺及物料热计算 电源功率 ...
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简述碳化硅的生产制备及其应用领域-专题-资讯-中国粉体网
2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。. 黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。. 但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序依靠人力完成，人均产量较低。. （2）碳化硅的分散 ...
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中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 - 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态两种商业模式 以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制
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碳化硅烧结炉_湖南艾普德工业技术有限公司
2020年7月2日 1.碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的关键设备 ，经该设备反应烧结的碳化硅产品，具有优良的工艺性能。产品力度均匀，反应完全、化合含量高、质量好；配有脱蜡系统，强化脱蜡效果，炉内气氛更稳定；延长了碳毡及发热材料的使用寿命。采用 ...
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疯狂的碳化硅，国内狂追！-全球半导体观察
2024年1月24日 碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备 、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备 ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
4.3. 露笑科技：碳化硅布局国内领先，定增扩产 24 万片导电型衬底产能 公司成立于 2003 年，为国内最大的专业漆包线生产商之一、及国内领先的蓝宝石长 晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的 全产业链延伸。
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备. 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。. 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。. 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA
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工业碳化硅生产设备
2023年6月25日 工业碳化硅生产设备 碳化硅生产线_碳化硅生产工艺_碳化硅生产设备方案-上海博奥， 2019-6-18 碳化硅生产线 产品简介 碳化硅是一种热传导性好、硬度高的人造材料。 目前已被广泛应用于超耐火材料及研磨材料等领域，本次着重介绍绿碳化硅微粉的生产
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碳化硅粉生产工艺 - 百度文库
碳化硅粉生产工艺 引言 碳化硅粉是一种重要的工业原料，广泛应用于耐火材料、高级陶瓷、冶金等领域。本文将全面探讨碳化硅粉的生产工艺，包括原料选择、工艺流程、设备选型以及产品应用等方面。 原料选择 碳化硅粉的主要原料是石墨和二氧化硅。
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备. 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。. 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。. 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。. 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。. 我国SiC外延材料研发工作开发于“
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输
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昭和男儿进击碳化硅，中国厂商仍有机会？ - 知乎
2023年1月25日 本文介绍了英飞凌引入的“新”碳化硅衬底供应商Resonac（原昭和电工），并从一则业内流言展开，分析了为何可能利好国产碳化硅材料企业。. 摘要：碳化硅材料供应商中一员大将脱颖而出，而另一则业内流言则意味着国产厂商仍有机会。. 写在前面栋幺
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我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
2021年12月24日 如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。.
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。. 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等 ...
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_腾讯新闻
2023年7月14日 碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC 芯片扩产也会受到关键设备的牵制。 由于SiC材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺——包括高温退火炉、高温离子 ...
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碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 - 腾讯网
2023年6月28日 国产设备也在突进。据纳设智能CEO陈炳安介绍，碳化硅外延生产成本约占碳化硅器件总体成本的23%。现阶段，碳化硅外延的制备方法主要以化学气相沉积（CVD）为主，纳设智能开发了自主创新的碳化硅外延CVD设备，该设备的耗材成本、维护
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